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IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電設(shè)備、電池管理、不間斷電源 (UPS)、輕型電動汽車、電動工具、園藝工具、適配器和消費應(yīng)用。    

技術(shù)參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），73A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.05 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 30μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），75W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

性能優(yōu)勢

相比前代產(chǎn)品，IPD040N03LF2S的RDS(on)優(yōu)化達(dá)40%，同時提升60%的FOM（有效功率損耗），具備優(yōu)異可靠性及高性價比。 ?

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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