商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:22+
封裝:PG-TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:40000 件
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點。
BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
快速開關(guān)能力:低柵極電荷(Qg = 9.1nC @ 10V),支持高頻工作場景,減少開關(guān)損耗。
高電流承受能力:連續(xù)漏極電流(Id)可達 18A(Tc),脈沖電流(Idp)可達 660A。
高可靠性:符合汽車電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101,確保在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。
環(huán)保合規(guī):符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
緊湊封裝:采用 PG-TSDSON-8 封裝,體積小巧,節(jié)省電路板空間。
BSZ440N10NS3G技術(shù)參數(shù)
漏源電壓(Vdss):100V
連續(xù)漏極電流(Id):18A(@Tc=25°C)
脈沖漏極電流(Idp): 40A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):38mΩ @ 10V, 12A
柵極電荷(Qg):9.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss): 640pF @ 50V
閾值電壓(Vgs(th)): 2.7V @ 12μA
開關(guān)時間:上升 1.8ns / 下降 2ns
最大功率耗散(Pd):29W
工作溫度:-55°C ~ +150°C
封裝:PG-TSDSON-8(3.3×3.3×1.1mm)
應(yīng)用領(lǐng)域
BSZ440N10NS3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
AC-DC SMPS 的同步整流:提高電源轉(zhuǎn)換效率。
48V-80V 系統(tǒng)的電機控制:如家用車輛、電動工具、卡車等。
隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器:適用于通信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。
48V 系統(tǒng)的開關(guān)和斷路器
D 類音頻放大器
不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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