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BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 3 系列，采用 PG-TSDSON-8封裝，該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點。

BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻：RDS(on) 低至 1.1 毫歐，顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。

快速開關(guān)能力：低柵極電荷（Qg = 9.1nC @ 10V），支持高頻工作場景，減少開關(guān)損耗。

高電流承受能力：連續(xù)漏極電流（Id）可達 18A（Tc），脈沖電流（Idp）可達 660A。

高可靠性：符合汽車電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101，確保在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。

環(huán)保合規(guī)：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

緊湊封裝：采用 PG-TSDSON-8 封裝，體積小巧，節(jié)省電路板空間。

BSZ440N10NS3G技術(shù)參數(shù)

漏源電壓（Vdss）：100V

連續(xù)漏極電流（Id）：18A（@Tc=25°C）

脈沖漏極電流（Idp）： 40A

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：38mΩ @ 10V, 12A

柵極電荷（Qg）：9.1nC @ 10V

輸入電容（Ciss）： 640pF @ 50V

閾值電壓（Vgs(th)）： 2.7V @ 12μA

開關(guān)時間：上升 1.8ns / 下降 2ns

最大功率耗散（Pd）：29W

工作溫度：-55°C ~ +150°C

封裝：PG-TSDSON-8（3.3×3.3×1.1mm）

應(yīng)用領(lǐng)域

BSZ440N10NS3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

AC-DC SMPS 的同步整流：提高電源轉(zhuǎn)換效率。

48V-80V 系統(tǒng)的電機控制：如家用車輛、電動工具、卡車等。

隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器：適用于通信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

48V 系統(tǒng)的開關(guān)和斷路器

D 類音頻放大器

不間斷電源 (UPS)

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