商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計。
技術規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):27A(Ta),150A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.3 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 40μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2300 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta),188W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TDSON-8
與之前的 StrongIRFET? 器件相比,ISC023N03LF2S可提供高達 40% 的 RDS(on) 改進和高達 60% 的 Qg 降低,從而轉化為更高的功率效率,提高整體系統(tǒng)性能。
應用領域
開關電源
電機驅動器
電池供電的應用
電池管理
UPS
輕型電動車
太陽能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側電源開關,屬于多通道功率開關IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應用設計。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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