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ISC028N03LF2S是由（Infineon）生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品，屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù)，可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。

關(guān)鍵參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Ta），128A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.8 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 30μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1780 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8

該產(chǎn)品實用性強、性價比高，對于追求便捷選購的設計師而言，堪稱理想之選。這款I(lǐng)SC028N03LF2S功率MOSFET具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。

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