商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AIMZH120R080M1T憑借英飛凌的性能優(yōu)化芯片技術(shù)(Gen1p),SiC Mosfet 具有同類最佳的開關(guān)性能、對寄生開通的穩(wěn)健性以及改進(jìn)的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本,使其成為車載充電器和 DCDC 應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):31A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 10A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 3.3mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):24 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+23V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):671 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):169W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-11
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
板載充電器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
輔助驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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