商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。該器件設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和優(yōu)異的熱性能,適用于電源管理、工業(yè)控制、電動(dòng)車輛(EV)和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域。
IXFP14N85XM 產(chǎn)品特性
高耐壓能力:最大漏源電壓(Vds)為 850V,適用于高電壓應(yīng)用。
低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 為 0.42Ω @ Vgs=10V,減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
高電流承載能力:最大漏極電流(Id)為 14A,滿足高功率密度設(shè)計(jì)需求。
低柵極電荷:Qg 為 62nC,優(yōu)化開關(guān)性能,減少開關(guān)過(guò)程中的能量損耗。
優(yōu)異的熱性能:采用 TO-220 封裝,提供良好的散熱性能。
寬工作溫度范圍:-55°C 至 150°C,適用于多種工業(yè)和汽車應(yīng)用場(chǎng)景。
IXFP14N85XM 產(chǎn)品屬性
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 460 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
應(yīng)用范圍
IXFP14N85XM 廣泛應(yīng)用于需要高電壓、高效率和高可靠性的功率電子系統(tǒng),包括但不限于:
工業(yè)電源:作為主開關(guān)元件,提供高效的功率轉(zhuǎn)換能力。
不間斷電源(UPS):確保電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性。
光伏逆變器:用于 DC-AC 轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能能量的高效輸出。
電動(dòng)車充電系統(tǒng):高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為理想的功率開關(guān)器件。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和伺服驅(qū)動(dòng)器。
電源適配器:適用于高性能筆記本電腦電源適配器和服務(wù)器電源系統(tǒng)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
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IXYP50N65C3:650V,用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管,TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …IXYH80N90C3
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