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IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。

IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)

FET類型：N溝道

工藝：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓(Vdss)：175 V

連續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C：150A (Tc)

驅(qū)動電壓(最大導通電阻，最小導通電阻)：10V

導通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @ 75A, 10V

閾值電壓(Vgs(th))(最大值) @ Id:4.5V @ 1mA

柵極電荷(Qg)(最大值) @ Vgs:233納庫倫 @ 10V

柵極電壓(Vgs)(最大值):±20V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds：14600 pF @ 25 V

功耗（最大值）：880W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

IXFH150N17T2特性

高電流承載能力

快速內(nèi)置二極管

動態(tài)dv/dt耐受

雪崩耐受

低導通電阻

IXFH150N17T2優(yōu)勢

易于安裝

節(jié)省空間

高功率密度

IXFH150N17T2應用領域

DC-DC轉(zhuǎn)換器

電池充電器

開關(guān)模式與諧振模式電源

直流斬波器

交流電機驅(qū)動器

不間斷電源

高速功率開關(guān)應用

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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