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IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。第五代HEXFET功率MOSFET采用先進工藝技術，實現(xiàn)了單位硅面積極低的導通電阻。這一優(yōu)勢結合HEXFET功率MOSFET廣為人知的快速開關特性與堅固耐用器件設計，為設計人員提供了適用于多種應用場景的高效可靠器件。

TO-247AC封裝適用于商業(yè)工業(yè)領域的高功率應用場景，當功率需求超出TO-220器件承載范圍時尤為適用。相較于早期TO-218封裝，TO-247AC因其隔離式安裝孔設計而具備更優(yōu)性能。

特性（IRFP260NPBF）

? 先進工藝技術

? 動態(tài)dv/dt額定值

? 175°C工作溫度

? 快速開關特性

? 全雪崩額定

? 并聯(lián)操作簡便

? 驅動要求簡單

? 無鉛封裝

產(chǎn)品屬性（IRFP260NPBF）

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 50A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 40 毫歐 @ 28A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 234 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4057 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 300W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型：通孔  

供應商器件封裝：TO-247AC 

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