商品名稱：N 溝道MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
AIMZA75R016M1H是在英飛凌 20 多年來開發(fā)的固體硅坩堝技術基礎上制造的。利用寬帶隙 SiC 材料特性，充分利用了寬帶隙 SiC 材料的特性，在性能、可靠性和易熔性方面實現(xiàn)了獨特的組合。
產品屬性
FET 類型：N 通道
技術：SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）：750 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：89A（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：15mOhm @ 41.5A, 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+23V，-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2869 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）：319W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：PG-TO247-4
封裝/外殼：TO-247-4
應用
車載充電器
汽車用HV-LV直流-直流轉換器
汽車用靜態(tài)開關（eFuse、BMS）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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