商品名稱:N 溝道MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BSC088N15LS5具有 8.8/12 mOhm 的超低 RDS(on)(VGS = 10 V/4.5 V)和 21 nC 的超低 Qg(VGS = 4.5 V),采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SuperSO8 封裝,可在小型輕量的 USB-PD EPR 充電器和適配器應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳熱管理。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11.7A(Ta),87A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):8.8 毫歐 @ 46A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.3V @ 107μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):26 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3500 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),139W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5200-4EKA
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IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。2ED4820-EM
2ED4820-EM是一款智能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,配備2個(gè)SPI控制輸出。它支持外部MOSFET的連續(xù)工作,并可擴(kuò)展至高電流應(yīng)用。該驅(qū)動(dòng)器支持背靠背MOSFET配置,并提供帶監(jiān)控輸出的電流測(cè)量功能。內(nèi)置MOSFET故障檢測(cè)、負(fù)載保護(hù)及電源保護(hù)機(jī)制。參數(shù)可通過(guò)SPI進(jìn)行調(diào)整,并支持…2EDN7524R
2EDN7524R柵極驅(qū)動(dòng)器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號(hào),具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動(dòng)。每個(gè)輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級(jí)設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過(guò)并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…TLE9471ES
TLE9471ES是一款輕量級(jí)單板計(jì)算機(jī)(SBC),專為各類汽車CAN應(yīng)用設(shè)計(jì),可作為MCU的主電源及CAN總線網(wǎng)絡(luò)接口。TLE9471ES是一款多功能單片集成電路,專為汽車CAN應(yīng)用設(shè)計(jì)。其集成了5V低壓差穩(wěn)壓器、高速CAN收發(fā)器、高壓通用輸入輸出接口及SPI接口。該器件提供可配置看門(mén)狗電…電話咨詢:86-755-83294757
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