商品名稱:IQE004NE1LM7
數(shù)據(jù)手冊:IQE004NE1LM7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TTFN-9-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IQE004NE1LM7 是業(yè)內(nèi)首款15V溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分。與OptiMOS?5 25 V相比,擊穿電壓降低,RDS(on)和FOMQG改善約30%,F(xiàn)OMQOSS改善約40%。再加上源下封裝,熱管理變得簡單,將高功率SMPS應(yīng)用的功率密度和效率提升到新的水平。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):15 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58A (Ta), 379A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,7V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):0.45mOhm @ 30A, 7V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 432μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):55 nC @ 7 V
Vgs(最大值):±7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6240 pF @ 7.5 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),89W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TTFN-9-3
封裝/外殼:9-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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