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深圳明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 英飛凌 IMT65R057M1H 650V 57mΩ CoolSiC? 碳化硅MOSFET晶體管

深圳明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，現(xiàn)貨供應(yīng)IMT65R057M1H CoolSiC? MOSFET晶體管。憑借卓越的開關(guān)性能、出色的可靠性及廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性，為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)開辟全新可能。

【IMT65R057M1H 產(chǎn)品概述】

IMT65R057M1H是英飛凌CoolSiC? MOSFET系列的旗艦產(chǎn)品。采用先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝制造，優(yōu)化實(shí)現(xiàn)最低應(yīng)用損耗與最高運(yùn)行可靠性。

這款IMT65R057M1H N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓(Vds)、44A連續(xù)漏極電流(Id)及僅0.057歐姆的導(dǎo)通電阻。其低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力可提升系統(tǒng)效率3-5%，顯著延長(zhǎng)電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程。

采用HSOF-8封裝的IMT65R057M1H支持高達(dá)175°C的工作溫度，在滿足極端環(huán)境高可靠性要求的同時(shí)，簡(jiǎn)化了熱管理系統(tǒng)并降低了成本。

【碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與創(chuàng)新】

相較于傳統(tǒng)硅基器件，碳化硅材料具有寬禁帶特性，其帶隙寬度約為硅的三倍，臨界電場(chǎng)強(qiáng)度約為硅的十倍。

這使得碳化硅MOSFET能夠采用更薄、摻雜更濃的漂移區(qū)，顯著降低導(dǎo)通電阻。與雙極型IGBT器件不同，碳化硅MOSFET屬于單極型結(jié)構(gòu)，可消除關(guān)斷尾電流，其開關(guān)損耗較硅基IGBT降低高達(dá)80%。

英飛凌CoolSiC MOSFET采用非對(duì)稱溝槽柵極結(jié)構(gòu)，充分利用碳化硅晶體的各向異性特性。溝道晶面以特定角度傾斜于垂直軸，最大限度降低界面態(tài)密度與氧化層陷阱，確保溝道載流子遷移率達(dá)到峰值。

【IMT65R057M1H可靠性設(shè)計(jì)與性能特性】

IMT65R057M1H采用英飛凌增強(qiáng)型M1H CoolSiC芯片技術(shù)，顯著提升漏源導(dǎo)通電阻，擴(kuò)展柵源電壓范圍，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)靈活性。

M1H技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)展柵極耐壓范圍，穩(wěn)態(tài)耐壓值為-7V至20V，瞬態(tài)耐壓值為-10V至23V。推薦導(dǎo)通電壓為15-18V，關(guān)斷電壓范圍為-5V至0V。

該MOSFET具備高閾值電壓（約4.5V）特性，超越眾多競(jìng)品，同時(shí)擁有極低的米勒電容。此高閾值電壓可有效抑制寄生導(dǎo)通現(xiàn)象，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

【IMT65R057M1H 封裝與熱性能】

IMT65R057M1H 采用 HSOF-8 封裝（亦稱 PG-HSOF-8），該表面貼裝封裝適用于高功率密度應(yīng)用。

該器件具備卓越的熱性能，支持最高175°C結(jié)溫，從而進(jìn)一步提升功率密度。其強(qiáng)健的熱特性確保在高溫及惡劣工況下穩(wěn)定運(yùn)行。

【IMT65R057M1H應(yīng)用領(lǐng)域】

IMT65R057M1H碳化硅MOSFET廣泛應(yīng)用于多個(gè)高性能領(lǐng)域，作為提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵組件。

在新能源汽車領(lǐng)域，該器件適用于主驅(qū)動(dòng)逆變器、車載充電機(jī)（OBC）及DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高頻開關(guān)特性與低損耗優(yōu)勢(shì)可提升系統(tǒng)效率、降低能量損耗并延長(zhǎng)續(xù)航里程。

在可再生能源領(lǐng)域，該MOSFET應(yīng)用于光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)。CoolSiC? MOSFET憑借高頻開關(guān)與低損耗特性，可提升太陽能轉(zhuǎn)換效率，使系統(tǒng)效率突破99%。

此外，IMT65R057M1H還適用于工業(yè)電源、服務(wù)器電源、通信設(shè)備及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用場(chǎng)景中，該器件既能降低系統(tǒng)散熱需求，又能提升功率密度。