深圳市明佳達電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，現(xiàn)供應(ADI)的高性能射頻開關HMC849ALP4CETR。這款SPDT(單刀雙擲)非反射式RF開關采用先進的GaAs(砷化鎵)工藝制造，具有超寬頻帶、高隔離度和低插入損耗等卓越特性，廣泛應用于高頻通信和測試設備領域。產品核心特性…
深圳市明佳達電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，現(xiàn)供應(ADI)的高性能射頻開關HMC849ALP4CETR。這款SPDT(單刀雙擲)非反射式RF開關采用先進的GaAs(砷化鎵)工藝制造，具有超寬頻帶、高隔離度和低插入損耗等卓越特性，廣泛應用于高頻通信和測試設備領域。
產品核心特性
HMC849ALP4CETR射頻開關代表了ADI在高頻開關技術領域的領先水平，其主要技術優(yōu)勢包括：
超寬頻帶工作：支持DC~14GHz的寬頻率范圍，滿足多場景高頻應用需求
卓越信號隔離：在6GHz頻率下提供高達50dB的隔離度，有效減少信號串擾
極低插入損耗：僅0.7dB@6GHz，最大限度保持信號完整性
快速切換能力：25ns的開關時間，支持高速信號路由1
非反射設計：50Ω匹配阻抗，駐波比(VSWR)小于1.3:1，減少信號反射
高功率處理：支持+30dBm輸入功率(1dB壓縮點)，適用于高功率應用
工業(yè)級可靠性：工作溫度范圍-40°C~+85°C，符合嚴苛環(huán)境要求
HMC849ALP4CETR 技術參數(shù)
頻率范圍：DC 至 6GHz
隔離：典型值為 48dB（2.0 - 4.0GHz）
插入損耗：典型值為 0.9dB（DC - 2.0GHz）
回波損耗：典型值為 17dB（DC - 4.0GHz）
1dB 壓縮點輸入功率：24dBm（+3V，0.35 - 6.0GHz）
切換速度：典型值為 60ns（10/90% RF，DC - 6.0GHz）
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
HMC849ALP4CETR 應用場景
蜂窩/WiMAX/4G 基礎設施：用于無線基站和通信設備。
汽車電子：適用于汽車遠程信息處理系統(tǒng)。
移動無線電：用于專業(yè)移動無線電系統(tǒng)。
測試設備：用于射頻測試和測量設備。
產品封裝
HMC849ALP4CETR采用緊湊型16引腳QFN封裝(4×4mm)，適合高密度表面貼裝應用。
明佳達電子供應優(yōu)勢
現(xiàn)貨供應：庫存充足，可滿足客戶的緊急采購需求。
品質保證：所有產品均為全新原裝正品，確保性能和可靠性。
交貨迅速：交貨期短，一般為 3-5 個工作日。
如需了解更多產品詳情或獲取報價，請隨時聯(lián)系我們的銷售團隊。
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