NTTFSSCH1D3N04XL是一款高性能N溝道功率MOSFET，設(shè)計用于處理大電流場景，尤其適用于數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用中的 直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）。以下是其核心特性與應(yīng)用：超低1.3mΩ Rds(on) 提高了系統(tǒng)效率低Qg和電容，可最大限度地降低驅(qū)動和開關(guān)損耗板級可靠性（BLRT測試）：10…
NTTFSSCH1D3N04XL是一款高性能N溝道功率MOSFET，設(shè)計用于處理大電流場景，尤其適用于數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用中的 直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）。以下是其核心特性與應(yīng)用：
超低1.3mΩ Rds(on) 提高了系統(tǒng)效率
低Qg和電容，可最大限度地降低驅(qū)動和開關(guān)損耗
板級可靠性（BLRT測試）：1000次（-40°C至+125°C，10分鐘）。dwell，+20°C/min，6層2.35T
采用先進的下源式中心柵極雙冷卻封裝技術(shù)，導(dǎo)熱性能優(yōu)異
封裝尺寸：3.3 mm x 3.3 mm x 0.58 mm
無鉛、無鹵、無BFR,符合RoHS指令
應(yīng)用場景
NTTFSSCH1D3N04XL適用于以下場景：
云系統(tǒng)
數(shù)據(jù)中心/IBC
電源單元（PSU）
描述
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計用于處理大電流，這對于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。
該屏蔽柵極溝槽設(shè)計具有超低柵極電荷和1.3mΩ RDS(on) 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無鉛、無鹵、無BFR，符合RoHS指令。該NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET設(shè)計用于為數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用提供高效解決方案。
核心參數(shù)
產(chǎn)品：NTTFSSCH1D3N04XL
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：207A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.3 毫歐 @ 24A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 120μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 6 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：107W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝：9-WDFN（3.3x3.3）
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