商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-64
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M × 8 位)并行 NOR Flash 存儲器,采用 64-FBGA(13×11mm) 封裝。該芯片基于 MirrorBit? Eclipse? 架構(gòu),適用于 嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制、汽車電子 等需要高速、高可靠性非易失存儲的應(yīng)用場景。
S29GL01GT10FHI010 規(guī)格參數(shù)
存儲容量:1Gb(128M × 8 位 / 64M × 16 位)
接口類型:并行(Parallel)
存取時間:100ns(最大)
寫周期時間:60ns(字/頁)
電源電壓:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ +85°C
封裝:64-FBGA(13×11mm)
數(shù)據(jù)保持時間:20年(典型值)
擦寫次數(shù):100,000次(工業(yè)級)
符合標(biāo)準(zhǔn):RoHS、無鉛
S29GL01GT10FHI010 產(chǎn)品特性
MirrorBit? Eclipse? 架構(gòu):基于 45nm 工藝,提供高密度存儲與低功耗特性。
高速讀?。褐С?100ns 隨機(jī)存取,適用于實(shí)時數(shù)據(jù)處理。
靈活編程模式:支持 單字編程 和 多頁編程(最大 512 字節(jié)),提高寫入效率。
扇區(qū)保護(hù)機(jī)制:高級扇區(qū)保護(hù)(ASP),支持 易失性/非易失性 保護(hù)模式。
低功耗設(shè)計:單電源供電(2.7V~3.6V),適用于電池供電設(shè)備。
工業(yè)級可靠性:支持 -40°C ~ +85°C 寬溫工作,適用于嚴(yán)苛環(huán)境。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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