IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。
技術參數(shù)
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):45 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
功率 - 最大值:141 W
開關能量:900μJ(導通),680μJ(關斷)
輸入類型:標準
柵極電荷:97 nC
25°C 時 Td(開/關)值:16ns/156ns
測試條件:600V,15A,10 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3
應用場景
IGB15N120S7適用于需要高電壓、低導通損耗的工業(yè)電機驅動和控制應用。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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