商品名稱:IGBT 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:
IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)
面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)
降低電磁干擾
技術(shù)規(guī)格
IGBT 類型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):9 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):9 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2V @ 15V,3A
功率 - 最大值:37 W
開關(guān)能量:210μJ(導(dǎo)通),160μJ(關(guān)斷)
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:24 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:19ns/89ns
測試條件:600V,3A,60 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3
IGB03N120S7適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制等領(lǐng)域。其高抗短路能力和低電磁干擾特性使其在工業(yè)驅(qū)動(dòng)器中表現(xiàn)出色?。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IKW50N65ES5
IKW50N65ES5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)適合開關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)參數(shù):IKW50N65ES5的優(yōu)勢(shì)不需要 VCEpeak 箝位電路不需要柵極箝位元件出色的 EM…電話咨詢:86-755-83294757
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