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BUK6Y14-40PX（40V）P溝道溝槽式MOSFET設計符合AEC-Q101標準，適用于高性能汽車應用。該MOSFET采用LFPAK56 (Power SO8) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，具有優(yōu)異的熱功率耗散性能。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：64A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：14毫歐 @ 10，8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2300 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：110W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SC-100，SOT-669

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