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GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅動器和控制。

GAN039-650NBBHP的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 32A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：CCPAK1212

封裝/外殼：12-BESOP（0.370"，9.40mm 寬），裸焊盤

應用：

電信/服務器鈦金級電源

工業(yè)車輛充電

太陽能 (PV) 逆變器

交流伺服驅動器/變頻器

電池存儲/UPS逆變器

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