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TW048N65C,S1F第三代碳化硅MOSFET器件專為開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度。這是由于碳化硅（SiC）技術(shù)使器件能夠提供更高的電壓、更快的開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。此外輸入電容（CISS）為1362 pF（典型值），低柵極輸入電荷（Qg）為41 nC（典型值）和漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為48mΩ或65 mΩ（典型值）。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.6mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1362 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：132W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。