商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4
型號(hào):NVH4L050N170M1
封裝:TO-247-4
類(lèi)型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管
NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1700 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):76 毫歐 @ 35A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4,3V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):105 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2063 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值):333W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
NVH4L050N170M1 產(chǎn)品特點(diǎn):
18V 至 20V 柵極驅(qū)動(dòng)
典型值 RDS(ON) = 53 m @ VGS = 20 V
超低柵極電荷 (QG(tot) = 105 nC)
高速開(kāi)關(guān),低電容(Coss = 98 pF)
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
全新 1700V M1 技術(shù):53 毫歐 RDS(ON),低 EON 和 EOFF 損耗
NVH4L050N170M1 應(yīng)用:
反激式轉(zhuǎn)換器
車(chē)載充電器
用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)的車(chē)載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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