商品名稱:IMBG65R030M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R030M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IMBG65R030M1HXTMA1是CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET,采用基于碳化硅溝槽技術(shù)的緊湊型7引腳SMD封裝,用于高功率應(yīng)用。
IMBG65R030M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類型: N-溝道
技術(shù): SiCFET (碳化硅)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 63A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 8.8mA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 49 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V,-5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1643 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 234W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7引線+焊片),TO-263CA
IMBG65R030M1HXTMA1的特點
連續(xù)硬換向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
適用于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實現(xiàn)了雙向的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳
N溝道IMBG65R030M1HXTMA1 MOSFET晶體管 TO-263-8 集成電路芯片
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…TDA88240
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1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對于伏的 SiC MOSFET。班級最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,專為SiC MOSFET設(shè)計,適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …電話咨詢:86-755-83294757
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