商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1680 件
IQD020N10NM5CGSC OptiMOS? 功率 MOSFET 100 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有 2,05 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的熱性能,易于功率損耗管理。
IQD020N10NM5CGSC特征
尖端的 100 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進(jìn)的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
中心柵極基底面
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IQD020N10NM5CGSC規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 26A(Ta),276A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 2.05 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 159μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 134 nC @ 10 V
Vgs(最大值) :±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 9500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
IQD020N10NM5CGSC優(yōu)勢(shì)
最佳開(kāi)關(guān)性能
傳導(dǎo)損耗最小
快速開(kāi)關(guān)
降低電壓過(guò)沖
提高最大電流能力
需要并聯(lián)的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
易于熱管理
IQD020N10NM5CGSC應(yīng)用
低壓驅(qū)動(dòng)
多軸飛行器
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
輕型電動(dòng)車
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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