商品名稱：N-通道功率MOSFET
品牌：ST
年份：21+
封裝：PowerFLAT 8x8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
STL26N60DM6 N溝道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的MDmesh快速一代相比，DM6結(jié)合了非常低的恢復(fù)電荷（Qrr）、恢復(fù)時間（trr）和單位面積RDS（on）的顯著提高，以及市場上最有效的開關(guān)行為之一，適用于要求最苛刻的高效橋式拓?fù)浜蚙VS移相轉(zhuǎn)換器。
齊納保護(hù)
典型接通延遲時間: 13 ns
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描述
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意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4 是一種 1200V 21 mΩ 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。該器件具有顯著的單位面積開關(guān)電阻低和非常好的開關(guān)性能。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫?zé)o關(guān)。SCTWA70N120G2V-4 的特性非?？焖俸头€(wěn)健的本體二極管極低的柵極電荷和輸入電容非常高的工作結(jié)溫度容量 (TJ = 20…
SCT011HU75G3AG
SCT011HU75G3AG 碳化硅電源 MOSFET 器件采用 ST 先進(jìn)創(chuàng)新的第三代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS (on) 特性，結(jié)合低電容和高開關(guān)操作，提高了應(yīng)用性能，包括頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重。SCT011HU75G3AG 的特性AEC-Q101 合格在整個溫度…
VL53L3CAV0DH/1
VL53L3CAV0DH/1是一款基于飛行時間（ToF）技術(shù)的光學(xué)傳感器，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的距離測量。
STM8S105K6U3ATR
STM8S105K6U3ATR 是屬于 STM8S 系列 8 位微控制器，工作頻率為 16MHz，采用哈佛架構(gòu)和 3 級流水線，具備 32KB 的 Flash 程序存儲器，1K 字節(jié)的數(shù)據(jù) EEPROM，以及 2K 字節(jié)的 RAM。工作電壓范圍為 2.95V 至 5.5V，工作溫度范圍為 - 40℃至 125℃，采用 32-UFQFPN（5x5）封裝…
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STM32L031C6U6是一款超低功耗32位微控制器，基于Arm Cortex-M0+內(nèi)核設(shè)計，采用48引腳UFQFPN封裝(7x7mm)。
STM32F103C8T6
STM32F103C8T6是一款基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核的 32 位微控制器，最高主頻可達(dá) 72MHz，具備高效的數(shù)據(jù)處理能力和實(shí)時性能。擁有 64KB Flash 存儲器和 20KB SRAM，可滿足大多數(shù)中等規(guī)模嵌入式應(yīng)用的程序和數(shù)據(jù)存儲需求。STM32F103C8T6 產(chǎn)品屬性制造商: STMicroelectronics …電話咨詢：86-755-83294757
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