商品名稱：IMW120R220M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
IMW120R220M1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IMW120R220M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、220 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。
特點(diǎn)
極低的開關(guān)損耗
無閾值通態(tài)特性
寬廣的柵極-源極電壓范圍
基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5V
0V的關(guān)斷柵極電壓，便于簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
完全可控的dV/dt
用于硬換向的穩(wěn)健體二極管
與溫度無關(guān)的關(guān)斷開關(guān)損耗
潛在應(yīng)用
能源生產(chǎn)
太陽能組串逆變器和太陽能優(yōu)化器
工業(yè)電源
工業(yè)用UPS
工業(yè)用SMPS
基礎(chǔ)設(shè)施--充電
充電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，由Infineon生產(chǎn)，屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號(hào)傳輸，并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對(duì)于伏的 SiC MOSFET。班級(jí)最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…
1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級(jí)，峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級(jí)，可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率，通過…
1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器，采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級(jí)，峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級(jí)，可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率，通過…
1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌（Infineon）推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù)，實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流（20A），傳播延遲為60ns（典型值）。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)易于使用的預(yù)配置，無需編程引腳兼容 …
1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù)，通過電流隔離實(shí)現(xiàn)雙向信號(hào)傳輸。1EDI3030AS具備以下特征：?jiǎn)瓮ǖ栏綦x式 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢：86-755-83294757
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