商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMDQ75R007M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代產(chǎn)品,采用碳化硅(SiC)技術(shù),主要規(guī)格包括:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):840 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):222A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):6.1 毫歐 @ 131.5A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 28.9mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):171 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5922 pF @ 500 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):789W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22
適用場景
?固態(tài)繼電器/隔離器?
?靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用?(如熔斷器、電路保護)
?高效率電源系統(tǒng)?(如逆變器、充電設(shè)備) ?
IMDQ75R007M2H通過優(yōu)化Crss/Ciss參數(shù)和VGS(th)閾值,實現(xiàn)了在保證安全性的同時提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對于伏的 SiC MOSFET。班級最多 1200 人CMTI 高達 150 V/ns8 kV 峰值增強。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標準的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強大的輸出級,峰值電流高達 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強大的輸出級,峰值電流高達 20 A。它具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標準的單通道高壓柵極驅(qū)動器,專為SiC MOSFET設(shè)計,適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標準的單通道高壓柵極驅(qū)動器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動器適用于高達 1200 V 的 SiC MOSFET高達 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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