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IMBG65R030M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強(qiáng)可靠性。

IMBG65R030M1H 產(chǎn)品規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：63A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 29.5A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 8.8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：49 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1643 pF @ 400 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）：234W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA  

基本產(chǎn)品編號：IMBG65

優(yōu)勢

高性能、高可靠性且易于使用

高系統(tǒng)效率和高功率密度

降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜度

打造成本更低、結(jié)構(gòu)更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)

采用連續(xù)硬換向拓?fù)?/span>

適于高溫和惡劣的工作環(huán)境

實現(xiàn)雙向拓?fù)?/span>

潛在應(yīng)用

? 電信服務(wù)器SMPS

? UPS（不間斷電源）

? 太陽能光伏逆變器

? 電動充電基礎(chǔ)設(shè)施

? 儲能和電池成型

? 類阻尼放大器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。