商品名稱:存儲(chǔ)器 - 模塊
品牌:SK hynix
年份:24+
封裝:3DS
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
HMCT04MEERA131N是一款128GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊。
詳細(xì)參數(shù)
類型:DDR5 Module
密度:128GB
組織:x4
速度:4800Mbps
封裝:3DS
說(shuō)明:
SK hynix開發(fā)專門用于處理大數(shù)據(jù)的高密度(128/256GB) RDIMM和LRDIMM模塊?;?ynm 16Gb DDR4的256GB RDIMM和LRDIMM支持穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸,速度為3,200Mbps,功耗為10W,是業(yè)界最低的功耗預(yù)算。
除了具有一般應(yīng)用基本容量的RDIMM/LRDIMM模塊,SK hynix的高密度模塊還提供了內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)、高速緩存和實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)分析所需的更快處理速度和更大內(nèi)存。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社,2012年被SK集團(tuán)收購(gòu)以后正式更名為SK海力士株式會(huì)社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,當(dāng)前在韓國(guó)利川和清州、 中國(guó)無(wú)錫和重慶設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地,并在全…
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機(jī)、平板電腦、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)等移動(dòng)設(shè)備。HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說(shuō)明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說(shuō)明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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