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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):LPDDR4 SDRAM
品牌:SK hynix
年份:25+
封裝:FBGA-200
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機(jī)、平板電腦、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)等移動(dòng)設(shè)備。該芯片采用 FBGA-200封裝,支持 1.8V/1.1V/0.6V多電壓供電,具有 低功耗、高帶寬 的特點(diǎn),適用于高性能計(jì)算和存儲(chǔ)密集型應(yīng)用。
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR屬于 LPDDR4X系列,相比標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4,其I/O功耗降低45%,更適合節(jié)能型設(shè)備。
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR特性
低功耗設(shè)計(jì)
支持 0.6V超低I/O電壓,相比LPDDR4節(jié)能45%。
多種省電模式(Self-Refresh、Deep Power-Down)。
高帶寬性能
數(shù)據(jù)速率 3733Mbps(等效1866MHz時(shí)鐘頻率)。
雙通道架構(gòu),提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
高密度存儲(chǔ)
2GB容量(1G×16組織架構(gòu)),滿(mǎn)足移動(dòng)設(shè)備多任務(wù)需求。
增強(qiáng)可靠性
符合 AEC-Q100 車(chē)規(guī)認(rèn)證(部分型號(hào)),適用于汽車(chē)電子。
支持 ECC(糾錯(cuò)碼),提高數(shù)據(jù)完整性。
寬溫支持
工作溫度 -25°C ~ +85°C(商業(yè)級(jí))或 -40°C ~ +105°C(工業(yè)級(jí))。
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR參數(shù)
存儲(chǔ)容量:2GB(1G×16)
數(shù)據(jù)速率:3733Mbps(LPDDR4X)
電壓:1.8V(VDD)、1.1V(VDDQ)、0.6V(VDD2H)
封裝:FBGA-200
溫度范圍:-25°C ~ +85°C(商業(yè)級(jí))
接口:16位雙通道
刷新模式:Auto/Self-Refresh
典型應(yīng)用
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR 主要應(yīng)用于:
智能手機(jī)/平板電腦:高分辨率顯示、AI計(jì)算加速。
車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng):導(dǎo)航、多媒體處理。
工業(yè)嵌入式設(shè)備:邊緣計(jì)算、機(jī)器視覺(jué)。
消費(fèi)電子:AR/VR設(shè)備、便攜式游戲機(jī)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Kingston
FBGA-96
1000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Auto temp 4Gb 256Mx16 96 ball FBGA DDR3L 2133
Kingston
FBGA-96
2000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Auto temp 2Gb 128Mx16 96 ball FBGA DDR3L 2133
Kingston
FBGA-200
1000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb 1024Mx16 200 ball LPDDR4 3733MHz
Kingston
FBGA-200
2000
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 32Gb 1024Mx32 200 ball LPDDR4x 4266MHz
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社,2012年被SK集團(tuán)收購(gòu)以后正式更名為SK海力士株式會(huì)社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,當(dāng)前在韓國(guó)利川和清州、 中國(guó)無(wú)錫和重慶設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地,并在全…
HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類(lèi)型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類(lèi)型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說(shuō)明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類(lèi)型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說(shuō)明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類(lèi)型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA107N
說(shuō)明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA107N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類(lèi)型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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