BAT54 二極管 肖特基二極管與整流器 SOT23.0.2A 30V Schot tky
規(guī)格參數(shù)
二極管類型 | 肖特基 |
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
電流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf) | 800 mV @ 100 mA |
速度 | 小信號 =< 200mA（Io），任意速度 |
反向恢復(fù)時間 (trr) | 5 ns |
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏 | 2 μA @ 25 V |
不同 Vr、F 時電容 | 10pF @ 1V，1MHz |
安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
工作溫度 - 結(jié) | -55°C ~ 150°C |
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲的溝槽柵和場截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175C，具有優(yōu)化的IGBT關(guān)斷損耗。其功能和技術(shù)規(guī)格如下：功能集電極電流 (IC) 額定值高達(dá)75A低導(dǎo)通和開關(guān)損耗穩(wěn)定且緊密的參數(shù)…
PSC2065JJ
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PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
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