商品名稱：SiC MOSFET 模塊
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：9-SMPD-B
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。
規(guī)格
產(chǎn)品： 功率 MOSFET 模塊
類型： 半橋模塊 半橋模塊
技術： SiC 碳化硅
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度 + 150 C
單位重量：8 克
特點
高速開關，低電容
阻斷電壓高，RDS（導通）低
易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單
抗閂鎖
真正的開爾文源連接
應用
太陽能逆變器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電機驅(qū)動器
開關模式電源
不間斷電源
電池充電器
感應加熱
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產(chǎn)品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器，采用 TO-247-2（TO-247AD） 封裝，適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅(qū)動等應用。
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 HiPerFET? Polar3? 系列，專為高功率開關應用設計。
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力，電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關應用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V…
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IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下：特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…電話咨詢：86-755-83294757
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