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DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅動等應用。該器件具有低正向壓降、高反向耐壓、標準恢復速等特點,廣泛應用于 AC/DC 轉換、逆變器、UPS 電源等領域。
DLA60I1200HA 核心特性
高電壓與大電流能力
反向耐壓(Vr):1200V
平均整流電流(Io):60A
浪涌電流(Ifsm):725A(短時承受能力)
低正向壓降(Vf)
1.19V @ 60A,降低導通損耗,提高效率
標準恢復速度
恢復時間 >500ns,適用于工頻整流及中速開關應用
高可靠性封裝
TO-247-2(TO-247AD)通孔封裝,散熱性能優(yōu)異,適用于高功率場景
寬溫度范圍
工作結溫(Tj):-55°C ~ +175°C,適應嚴苛工業(yè)環(huán)境
DLA60I1200HA 產品屬性
產品種類: 整流器
封裝 / 箱體: TO-247-2
Vr - 反向電壓 : 1.2 kV
If - 正向電流: 60 A
類型: 標準整流器
配置: Single
Vf - 正向電壓: 1.1 V
最大浪涌電流: 725 A
Ir - 反向電流 : 300 uA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關應用設計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力,電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關應用。該產品具有以下主要參數:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下:特點經過優(yōu)化用于低開關損耗正熱系數VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關頻率的應用,具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:-配置:單路電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 時 Vce…電話咨詢:86-755-83294757
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