IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT，采用TO-264-3封裝。
BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝，BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇，因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。
功能與特色:
“自由”本征體二極管
高功率密度
高頻運(yùn)行
低傳導(dǎo)損耗
MOS柵極開啟簡單便捷
4000V電氣絕緣
應(yīng)用:
開關(guān)模式和諧振模式電源
不間斷電源（UPS）
激光和X射線發(fā)生器
電容放電電路
高壓脈沖電路
高壓測試設(shè)備
AC開關(guān)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器，采用 TO-247-2（TO-247AD） 封裝，適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 HiPerFET? Polar3? 系列，專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開關(guān)能力，電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下：特點(diǎn)經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…電話咨詢：86-755-83294757
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