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IRFB4020PBF數(shù)字音頻 MOSFET 專為 D 類音頻放大器應用而設計。這款 MOSFET 采用了最新的處理技術，實現(xiàn)了單位硅面積的低導通電阻。此外，柵極電荷、體二極管反向恢復和內(nèi)部柵極電阻進行了優(yōu)化，以改善關鍵的 D 類音頻放大器性能效率、總諧波失真（THD）和電磁干擾（EMI）等關鍵因素。這款 MOSFET 的其他特性包括 175°C 工作溫度和重復雪崩能力。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1200 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

應用

● D 類音頻放大器

● 等離子顯示面板 (PDP) 中的維持、能量回收和通路開關應用

● 工業(yè)和消費電子產(chǎn)品

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