商品名稱:IQE022N06LM5CGSC
數(shù)據(jù)手冊:IQE022N06LM5CGSC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerWDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IQE022N06LM5CGSC是 OptiMOS? N 溝道功率晶體管 8-PowerWDFN 表面貼裝型。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):60 V
電流 - 25°C 時的連續(xù)漏極 (Id):24A (Ta),151A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:2.2mOhm @ 20A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:2.3V @ 48μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:53 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:4420 pF @ 30 V
功率耗散(最大值):2.5W (Ta),100W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:表面貼裝
特點
針對高性能 SMPS(如同步整流)進行了優(yōu)化
N 溝道,邏輯電平
極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)
優(yōu)異的熱阻
100% 通過雪崩測試
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標準
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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