商品名稱:IQE008N03LM5CG
數(shù)據(jù)手冊(cè):IQE008N03LM5CG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IQE008N03LM5CG 是 OptiMOS? N 溝道功率晶體管 8-PowerTDFN 表面貼裝型。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):30 V
電流 - 25°C 時(shí)的連續(xù)漏極 (Id):27A (Ta),253A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds 導(dǎo)通,最小 Rds 導(dǎo)通):4.5V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:0.85mOhm @ 20A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:2V @ 250μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:64 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:5700 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.1W (Ta),89W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
特點(diǎn)
專為高性能 SMPS(如同步.再現(xiàn))而優(yōu)化
極低的導(dǎo)通電阻 Ros(on) @ Vcs=4.5 V
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
出色的熱阻
N 溝道
無(wú)鉛引線電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無(wú)鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET,屬于 CoolMOS CFD 系列。BTS5200-4EKA
BTS5200-4EKA是一款200 m?四通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān),采用PG-DSO-14-48-EP裸焊盤(pán)封裝,具備保護(hù)功能與診斷機(jī)制。BTS5200-4EKA功率晶體管采用帶電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET構(gòu)造。該器件基于Smart6技術(shù)集成,專為在惡劣汽車環(huán)境中驅(qū)動(dòng)R5W級(jí)燈泡及LED而設(shè)計(jì)。BTS5200-4EKA規(guī)格參…IRFP260NPBF
IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。2ED4820-EM
2ED4820-EM是一款智能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,配備2個(gè)SPI控制輸出。它支持外部MOSFET的連續(xù)工作,并可擴(kuò)展至高電流應(yīng)用。該驅(qū)動(dòng)器支持背靠背MOSFET配置,并提供帶監(jiān)控輸出的電流測(cè)量功能。內(nèi)置MOSFET故障檢測(cè)、負(fù)載保護(hù)及電源保護(hù)機(jī)制。參數(shù)可通過(guò)SPI進(jìn)行調(diào)整,并支持…2EDN7524R
2EDN7524R柵極驅(qū)動(dòng)器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號(hào),具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動(dòng)。每個(gè)輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級(jí)設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過(guò)并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…電話咨詢:86-755-83294757
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