商品名稱(chēng):ISC073N12LM6
數(shù)據(jù)手冊(cè):ISC073N12LM6.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ISC073N12LM6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件,性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù),顯著提升了性能。與同類(lèi)產(chǎn)品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。另外,該器件具有更高的品質(zhì)因數(shù)(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd),可讓設(shè)計(jì)人員提高效率并降低系統(tǒng)成本。OptiMOS 6保持了輸出更高功率的優(yōu)勢(shì),其中RDS(on) 損耗顯著降低,從而在整個(gè)工作范圍內(nèi)進(jìn)一步提高了性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):120 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):13.4A(Ta),86A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):3.3V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7.3 毫歐 @ 40A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.2V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2600 pF @ 60 V
功率耗散(最大值):3W(Ta),125W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPA65R660CFD
IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET,屬于 CoolMOS CFD 系列。BTS5200-4EKA
BTS5200-4EKA是一款200 m?四通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān),采用PG-DSO-14-48-EP裸焊盤(pán)封裝,具備保護(hù)功能與診斷機(jī)制。BTS5200-4EKA功率晶體管采用帶電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET構(gòu)造。該器件基于Smart6技術(shù)集成,專(zhuān)為在惡劣汽車(chē)環(huán)境中驅(qū)動(dòng)R5W級(jí)燈泡及LED而設(shè)計(jì)。BTS5200-4EKA規(guī)格參…IRFP260NPBF
IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。2ED4820-EM
2ED4820-EM是一款智能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,配備2個(gè)SPI控制輸出。它支持外部MOSFET的連續(xù)工作,并可擴(kuò)展至高電流應(yīng)用。該驅(qū)動(dòng)器支持背靠背MOSFET配置,并提供帶監(jiān)控輸出的電流測(cè)量功能。內(nèi)置MOSFET故障檢測(cè)、負(fù)載保護(hù)及電源保護(hù)機(jī)制。參數(shù)可通過(guò)SPI進(jìn)行調(diào)整,并支持…2EDN7524R
2EDN7524R柵極驅(qū)動(dòng)器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號(hào),具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動(dòng)。每個(gè)輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級(jí)設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過(guò)并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…電話咨詢:86-755-83294757
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