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IQD020N10NM5CG的設計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，這些器件的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。該產品采用新型硅技術，經優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算領域中的服務器、數據通信和客戶端應用。它們還可用于開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機控制、微型太陽能逆變器和快速開關直流/直流轉換器應用。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），273A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.05 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 159μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：134 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9500 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），333W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TTFN-9-U02

封裝/外殼：9-PowerTDFN

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。