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IPT60R125CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓撲結構，采用高壓超級結MOSFET技術。這些MOSFET內置快速體二極管，完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應用包括服務器、電信和電動汽車充電站。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：21A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 6.8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 340μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：31 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1330 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：127W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HSOF-8-1

封裝/外殼：8-PowerSFN

應用

● 服務器

● 電信

● EV充電

● SMPS

● PC電源

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。