商品名稱:IPT60R090CFD7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT60R090CFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPT60R090CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)。這些MOSFET內(nèi)置快速體二極管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應(yīng)用包括服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車充電站。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):28A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):90 毫歐 @ 9.3A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 470μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):42 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1752 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):160W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HSOF-8-1
封裝/外殼:8-PowerSFN
應(yīng)用
● 服務(wù)器
● 電信
● EV充電
● SMPS
● PC電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPA65R660CFD
IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET,屬于 CoolMOS CFD 系列。BTS5200-4EKA
BTS5200-4EKA是一款200 m?四通道智能高側(cè)開關(guān),采用PG-DSO-14-48-EP裸焊盤封裝,具備保護(hù)功能與診斷機(jī)制。BTS5200-4EKA功率晶體管采用帶電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET構(gòu)造。該器件基于Smart6技術(shù)集成,專為在惡劣汽車環(huán)境中驅(qū)動(dòng)R5W級(jí)燈泡及LED而設(shè)計(jì)。BTS5200-4EKA規(guī)格參…IRFP260NPBF
IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。2ED4820-EM
2ED4820-EM是一款智能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,配備2個(gè)SPI控制輸出。它支持外部MOSFET的連續(xù)工作,并可擴(kuò)展至高電流應(yīng)用。該驅(qū)動(dòng)器支持背靠背MOSFET配置,并提供帶監(jiān)控輸出的電流測量功能。內(nèi)置MOSFET故障檢測、負(fù)載保護(hù)及電源保護(hù)機(jī)制。參數(shù)可通過SPI進(jìn)行調(diào)整,并支持…2EDN7524R
2EDN7524R柵極驅(qū)動(dòng)器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號(hào),具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動(dòng)。每個(gè)輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級(jí)設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…電話咨詢:86-755-83294757
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