商品名稱:IPTC014N10NM5
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPTC014N10NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-16-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPTC014N10NM5 是 OptiMOS? 5 N 溝道 100 V 表面貼裝功率晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):100 V
電流 - 25°C 時(shí)的連續(xù)漏極 (Id):37A (Ta),365A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds 導(dǎo)通,最小 Rds 導(dǎo)通):6V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:1.4mOhm @ 150A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:3.8V @ 280μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:211 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:16000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):3.8W (Ta),375W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
特點(diǎn)
N 溝道
極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)
優(yōu)異的熱阻
100% 通過雪崩測試
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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2EDN7524R柵極驅(qū)動(dòng)器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號(hào),具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動(dòng)。每個(gè)輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級(jí)設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…電話咨詢:86-755-83294757
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