商品名稱:NCD57091CDWR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCD57091CDWR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCD57091CDWR2G 是具有 5 kVrms 內部電隔離的大電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅動器,專為大功率應用中的高系統(tǒng)效率和可靠性而設計。
特點
高峰值輸出電流(+6.5 A/-6.5 A)
鉗位壓降低,無需使用負電源來防止柵極誤導通(A/D/F 版本)
精確匹配的短傳播延遲
短路期間的 IGBT/MOSFET 柵極鉗位
IGBT/MOSFET 柵極主動下拉
嚴格的 UVLO 閾值實現(xiàn)偏置靈活性
寬偏置電壓范圍,包括負 VEE2(B 版)
3.3 V、5 V 和 15 V 邏輯輸入
5 kVrms 電隔離
高瞬態(tài)抗擾度
高電磁抗擾度
NCV 前綴,適用于汽車和其他需要獨特的現(xiàn)場和控制變更要求的應用;通過 AEC-Q100 認證并可實現(xiàn) PPAP
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應用
電機控制
不間斷電源 (UPS)
汽車應用
工業(yè)電源
太陽能逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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