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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

S25HL512TDPBHV013

產(chǎn)品說明：133MHz、512Mbit SEMPER? NOR 閃存存儲器IC，F(xiàn)BGA-24

封裝：FBGA-24
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL512TDPBHV010

產(chǎn)品說明：133MHz、512Mbit SEMPER? NOR 閃存存儲器IC，F(xiàn)BGA-24

封裝：FBGA-24
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S25HL02GTDZBHB050

產(chǎn)品說明：133MHz，2Gbit SEMPER? NOR 閃存存儲器IC，F(xiàn)BGA-24

封裝：FBGA-24
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-TR

產(chǎn)品說明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LT-MR

產(chǎn)品說明：700V CoolGaN?功率晶體管，具有極高的效率和可靠性

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-2-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 650V，18A，GaN E-模式，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-2-L-TR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 650V，11A，GaN E-mode，8x8 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 8x8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-030-6-LL-MR

產(chǎn)品說明：CoolGaN?晶體管 700 G4，具有極高的效率和可靠性

封裝：TOLL-11
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-014-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-014-6-LR-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A（Tc） 8-PDFN（8x8）

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-6-LR-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A（Tc） 8-PDFN（8x8）

封裝：PDFN 8x8
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-011-1-L-TR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 650V，11A，GaN E-模式，5x6 PDFN，底部冷卻

封裝：PDFN 5x6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-004-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 4.6A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-008-6-L-MR

產(chǎn)品說明：GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 8.8A（Tc） 8-PDFN（5x6）

封裝：PDFN 5x6
10起
1250
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5CG

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 5 150 V 低壓功率 MOSFET，采用 PQFN 3.3x3.3 源下中心柵封裝

封裝：PG-TTFN-9
10起
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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