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規(guī)格型號
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參數(shù)描述
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產(chǎn)品說明:N 溝道 650V 19.9mΩ 92A MDmesh M9 功率 MOSFET 晶體管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:藍牙 v4.2 RF 收發(fā)器模塊 2.4GHz ~ 2.4835GHz 集成式,芯片 表面貼裝型
封裝:模塊產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247 長引線
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650 V、8 A IGBT,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-220 封裝
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:TRENCHSTOPTM5 軟開關IGBT
封裝:PG-TO247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 600 V 30 A 115 W 表面貼裝型 TO-263(D2PAK)
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 600 V 14 A 24 W 通孔 TO-220FP
封裝:TO-220FP產(chǎn)品說明:光學傳感器 0 ~ 236.22"(0 ~ 6m) I2C 輸出
封裝:LGA12產(chǎn)品說明:光學傳感器 0 ~ 51.18"(0 ~ 130cm) I2C 輸出
封裝:LGA12產(chǎn)品說明:溝槽柵場截止 650 V、60 A 高速 HB 系列 IGBT 晶體管
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:H 系列 1200V 15A 高速溝槽柵場截止 IGBT 晶體管
封裝:TO-247-3電話咨詢:86-755-83294757
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