最新資訊概述CGHV27060MP是一款60 W氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT ),采用小型封裝；塑料SMT封裝4.4毫米x 6.5毫米。晶體管是一種寬帶器件，沒(méi)有內(nèi)部輸入或輸出匹配；這使得靈活性適用于從UHF到2.7 GHz的廣泛頻率范圍。CGHV27060MP是超高頻脈沖應(yīng)用的優(yōu)秀晶體管；l波段或低S波…
概述
CGHV27060MP是一款60 W氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT ),采用小型封裝；塑料SMT封裝4.4毫米x 6.5毫米。晶體管是一種寬帶器件，沒(méi)有內(nèi)部輸入或輸出匹配；這使得靈活性適用于從UHF到2.7 GHz的廣泛頻率范圍。
CGHV27060MP是超高頻脈沖應(yīng)用的優(yōu)秀晶體管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；該晶體管非常適合于A/B類(lèi)等高效拓?fù)渲衅骄β蕿?0至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。數(shù)據(jù)手冊(cè)中描述的CGHV27060MP典型性能源自2.5至2.7 GHz的A/B類(lèi)參考設(shè)計(jì)。
CGHV27060MP規(guī)格
技術(shù)：HEMT
頻率：2.7GHz
增益：16.5dB
電壓 - 測(cè)試：50 V
額定電流（安培）：6.3A
噪聲系數(shù)：-
電流 - 測(cè)試：125 mA
功率 - 輸出：80W
電壓 - 額定：150 V
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：20-TSSOP
特性
從超高頻到2.7GHz
脈沖PSAT下16.5 dB增益
脈沖PSAT下的效率為70%
脈沖PSAT時(shí)為85 W
線性PAVE = 14 W時(shí)的18 dB增益
線性鋪設(shè)= 14 W時(shí)-35 dBc ACLR
線性鋪設(shè)時(shí)效率為33% = 14w
可以應(yīng)用高度DPD校正
時(shí)間：2025-06-21
時(shí)間：2025-06-21
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時(shí)間：2025-06-21
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