LMG3522R050RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
產(chǎn)品說明
LMG3522R050RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
LMG3522R050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。
特性
? 具有集成柵極驅(qū)動器的 650V GaN-on-Si FET
– 集成高精度柵極偏置電壓
– 200V/ns FET 釋抑
– 3.63.6MHz 開關(guān)頻率
– 15-V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
– 在 7.5V 至 18V 電源下工作
? 強大的保護(hù)
– 響應(yīng)時間少于 100ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
– 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
– 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
? 高級電源管理
– 數(shù)字溫度 PWM 輸出
? 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現(xiàn)更低的電源環(huán)路電感
應(yīng)用
? 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
? 商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器 PSU
? 商用通信電源整流器
? 光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器
? 不間斷電源
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