隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數據中心的供電系統正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。2025年5月，納微半導體宣布，推出專為超大規(guī)模AI數據中心設計的最新12kW量產電源參考設計，可以適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。這款產品的特別之處，在于12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計算項目…
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數據中心的供電系統正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。2025年5月，納微半導體宣布，推出專為超大規(guī)模AI數據中心設計的最新12kW量產電源參考設計，可以適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
這款產品的特別之處，在于12kW電源遵循ORv3規(guī)范及開放計算項目（OCP）標準，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave數字技術，以及配置于三相交錯TP-PFC和FB-LLC拓撲結構中的高功率 GaNSafe氮化鎵功率芯片，以極簡元件布局實現最高效率與性能。
在關鍵的技術上，納微12kW電源中采用的三相交錯TP-PFC拓撲由采用“溝槽輔助平面柵”技術的第三代快速碳化硅MOSFET驅動。三相交錯FB-LLC拓撲由納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅動，其集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能，使其在高功率應用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。
該電源的尺寸為790×73.5×40mm，輸入電壓范圍180–305VAC，輸出最高電壓為50VDC。當輸入電壓高于207VAC時輸出12kW功率，低于該閾值時輸出10kW。其配備主動均流功能及過流、過壓、欠壓、過熱保護機制，可在-5至45℃溫度范圍內正常運行，12kW負載下保持時間達20ms，浪涌電流為穩(wěn)態(tài)電流3倍（持續(xù)時間<20ms），采用內部風扇散熱。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架構，旨在為未來AI的計算負載提供高效、可擴展的電力傳輸能力，實現更高可靠性、更優(yōu)效率并簡化基礎設施設計。英偉達在下一代800V HVDC架構采用納微半導體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術開發(fā)。
在二次側DC-DC變換領域，納微半導體推出80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專為輸出48V-54V的AI數據中心電源優(yōu)化設計，可實現高速、高效、低占板面積的功率轉換。
未來展望
納微計劃 2026年推出更高功率方案，并聯合英偉達推進 800V HVDC架構，進一步優(yōu)化AI數據中心的能源效率。
這款12kW電源的發(fā)布，標志著GaN+SiC混合設計正式成為下一代AI供電的核心技術，為全球算力基礎設施提供高效、可靠的電力支持。
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
