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供應(yīng)氮化鎵 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 650V 30m? GaN FET

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明佳達(dá)電子長(zhǎng)期大量供應(yīng)氮化鎵 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 30m? GaN FET器件描述：LMG3522R030RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。 LMG3522R0…

明佳達(dá)電子長(zhǎng)期大量供應(yīng)氮化鎵 (GaN) IC LMG3522R030RQSR 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 30m? GaN FET

器件描述：

LMG3522R030RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R030RQSR集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān) 電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū) 動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。 GaN FET 的溫度通過(guò)可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào) 告，這可簡(jiǎn)化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過(guò)熱、過(guò) 流和 UVLO 監(jiān)控。

LMG3522R030RQSR特性：

? 具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V GaN-on-Si FET

– 集成高精度柵極偏置電壓

– 200V/ns FET 釋抑

– 23.6MHz 開關(guān)頻率

– 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI

– 在 7.5V 至 18V 電源下工作

? 強(qiáng)大的保護(hù)

– 響應(yīng)時(shí)間少于 100ns 的逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)

– 硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌

– 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)