CSD87312Q3E是一款30V共源極雙N溝道器件，專為適配器/USB輸入保護設計。這款3.3×3.3mm SON封裝器件具有低漏極間導通電阻，可最大限度降低損耗，并為空間受限的多電池充電應用提供低元件數量方案。
CSD87312Q3E規(guī)格參數
技術類型：MOSFET（金屬氧化物）
結構配置：雙N溝道共源極
FET特性：邏輯電平柵極
漏源電壓(Vdss)：30V
持續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C：27A
導通導通電阻(Rds On) @ Id, Vgs：33毫歐 @ 7A, 8V
閾值電壓(Vgs(th)) @ Id：1.3V @ 250μA
柵極電荷(Qg) @ Vgs：8.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值) @ Vds:1250pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
工作溫度范圍:-55°C ~ 150°C (TJ)
CSD87312Q3E特性
共源極連接
超低漏極間導通電阻
節(jié)省空間的SON 3.3 x 3.3mm塑料封裝
優(yōu)化適配5V柵極驅動
低熱阻
雪崩耐受
無鉛端子鍍層
符合RoHS標準
無鹵素
CSD87312Q3E應用領域
筆記本電腦及平板電腦適配器/USB輸入保護
型號
品牌
封裝
數量
描述
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