商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMCQ120R053M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的組裝流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)正引領(lǐng)散熱、能效、設(shè)計靈活性及性能的新時代。
IMCQ120R053M2H 的特點
VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
IDDC = 31 A @TC = 100°C
RDS(on) = 52.6 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
極低的開關(guān)損耗
過載運行溫度可達(dá) Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓
對寄生導(dǎo)通具有抗擾性
適用于硬換向的堅固體二極管
.XT 互連技術(shù)
IMCQ120R053M2H 的優(yōu)勢
卓越的熱性能
提高能源效率
更高的功率密度
更緊湊且易于設(shè)計的方案
更低的總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMCQ120R053M2H的應(yīng)用領(lǐng)域
電動汽車充電
固態(tài)斷路器
低壓驅(qū)動器
光伏系統(tǒng)
不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對于伏的 SiC MOSFET。班級最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,專為SiC MOSFET設(shè)計,適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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